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题名:
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碳化硅半导体材料与器件 / (美) Michael Shur, Sergey Rumyantsev, (俄) Michael Levinshtein主编 , 杨银堂, 贾护军, 段宝兴译 |
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ISBN:
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978-7-121-17755-2 价格： CNY59.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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XI, 332页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 电子工业出版社 出版日期： 2012.08 |
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内容提要:
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本书主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论, 内容包括: SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管等。 |
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主题词:
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Ⅰ-Ⅵ族化合物半导体 半导体材料 |
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主题词:
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Ⅰ-Ⅵ族化合物半导体 半导体器件 |
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中图分类法:
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TN304.2 版次： 5 |
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主要责任者:
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舒尔 主编 |
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主要责任者:
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Rumyantsev, 主编 |
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主要责任者:
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莱维斯坦 主编 |
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次要责任者:
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杨银堂 译 |
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次要责任者:
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贾护军 译 |
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次要责任者:
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段宝兴 译 |