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题名:
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纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究 / 赵晓锋著 , |
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ISBN:
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978-7-81129-126-1 价格： CNY25.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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246页 图 21cm |
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出版发行:
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出版地： 哈尔滨 出版社： 黑龙江大学出版社 出版日期： 2009 |
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内容提要:
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本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上, 给出MOSFETs压/磁多功能传感器在外加压力P=0、外加磁场B=0;外加压力P≠0、外加磁场B=0; 外加压力P=0; 外加磁场B≠0; 外加压力P≠0; 外加磁场B≠0四种情况下的基本理论分析。 |
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主题词:
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压力传感器 研究 |
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主题词:
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磁性传感器 研究 |
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中图分类法:
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TP212 版次： 4 |
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主要责任者:
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赵晓锋 著 |