中图分类法:
TN325 版次：
中图分类法:
TB383 版次：
著者:
Lundstrom, Mark.
题名:
Nanoscale transistors : [ device physics, modeling and simulation = 纳米晶体管 : 器件物理学, 建模和仿真 /] / ,
其它题名:
纳米晶体管 :
出版发行:
出版地： 北京 : 出版社： 科学出版社, 出版日期： 2007.
载体形态:
vi, 217 p. : ill. ; 24 cm.
主题词:
Nanotechnology.
主题词:
Metal oxide semiconductor field-effect transistors Mathematical models.
主题词:
Nanostructured materials Mathematical models.
主要责任者:
Guo, Jing,