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题名:
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硅锗的性质 / (德) Erich Kasper主编 , 余金中译 |
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ISBN:
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7-118-02883-5 价格： CNY24.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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250页 图 20cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 国防工业出版社 出版日期： 2002 |
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内容提要:
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本书由31位来自德国、美国、加拿大、英国、日本等国Si基异质结构和应用领域的教授们编写，是一本论述SiGe/Si知识的权威性专著。本书共七章，第一章综述了SiGe应变层系统的一些总体性质；第二章至第六章给出了应变的和弛豫的SiGe合金的具体材料性质，综合评述了SiGe材料的结晶学、异质结构、热学性质、力学和晶格振动、能带结构、输运特性、表面性质等内容；第七章介绍了一些代表性的SiGe/Si器件的结构和特性。 |
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主题词:
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硅 集成电路 |
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中图分类法:
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TN304.1 版次： 4 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 4 |
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主要责任者:
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卡斯珀 主编 |
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次要责任者:
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余金中 译 |
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责任者附注:
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责任者规范汉译姓：卡斯珀 |